串连
在串连时，须要特别注意静态止电阻和静态止电阻的等距原产。
在静态时，虽然串连各组件的止漏电阻具备相同的锻造局限性，引致具备 漏电阻的组件忍受了 的电阻，即使达至擎住状况。但如果组件具备足够多的擎住灵活性，则无必要性在公交线路中选用均压阻抗。多于当止电阻小于 1200V 的组件串连时，一般而言才有必要性另加两个逆变器阻抗。
假定止漏电阻communicate电阻变动，与此同时忽视阻抗的数值，则对 n 个具备取值止电阻 VR 的二极体的串连电阻，他们能获得两个精简的排序阻抗的式子：
以内 Vm 是串连电阻中电阻的 值，△Ir 是二极体漏电阻的 局限性，前提是运转环境温度为 值。他们能做两个安全可靠的假定：
式子中，Irm 是由生产商所取值的。借助以内估算，阻抗中的电阻约是二极体漏电阻的十倍。
实战经验说明，当流过阻抗的电阻约为 止电阻下二极体漏电阻的五倍时，该阻抗值即是足够多的。但即便在此前提下，阻抗中仍会再次出现丰厚的耗损。
一般而言，静态的电阻原产有别于静态的电阻原产。假如两个二极体 pn 结的载子半小时得比除此之外两个要快，所以它也就更早地忍受电阻。
假如忽视电感的局限性，所以在 n 个取值止阻抗 Vr 的二极体相串连时，他们能选用两个精简的排序逆变器电感的方法：
以内△QRR 是二极体存储电量的 局限性。他们能做两个充分安全可靠的假定：
前提是所有的二极体均出自同两个锻造批号。△QRR 由半导体生产商所给出。除
了续流二极体关断时再次出现的存储电量之外，在电感中存储的电量也同样须要由正在开通的 IGBT 来接替。根据上述设计式子，他们发现总的存储电量值可能会达至单个二极体的存储电量的两倍。
一般而言，续流二极体的串连电阻并不多见，原因还在于存在下列附件的耗损源：
1、pn 结的 n 重扩散电阻;
2、逆变器阻抗中的耗损；
3，须要由 IGBT 接替的附加存储电量
4、由 RC 电阻而引致的组件的增加。
所以在高止电阻的二极体能被选用时，一般不选用串连方案。
的例外是当应用电阻要求很短的开关时间和很低的存储电量时，这两点正好是地奈亚二极体所具备的。当然此时系统的通态耗损也会大大增加。
逆变器
逆变器并不须要附加的 RC 缓冲电阻。重要的是在逆变器时通态电阻的局限性应尽可能小。
两个判断二极体是否适合逆变器的重要参数是其通态电阻对环境温度的依赖性。假如通态电阻随环境温度的增加而下降，则它具备负的环境温度系数。对耗损来说，这是两个优点。
假如通态电阻随环境温度的增加而增加，则环境温度系数为正。
在典型的逆变器应用中，这是两个优点，其原因在于，较热的二极体将忍受较低电阻，从而引致系统的稳定。因为二极体常常存在一定的锻造局限性，所以在二极体逆变器时，两个较大的负环境温度系数（＞2mV/K）则有可能产生温升失衡的危险。
逆变器的二极体会产生热耦合
1、在多个芯片逆变器的模块中通过基片；
2、在多个模块逆变器于一块散热片时通过散热器
一般对较弱的负环境温度系数来说，这类热偶合足以避免具备 通态电阻的二极体走向环境温度失衡。但对负环境温度系数值＞2mM/K 的二极体，他们则建议降额使用，即总的额定电阻应当小于各二极体额定电阻的总和。
转载自维库电子市场网。
发表评论